GES3642. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES3642

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES3642

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES3642 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES3635, GES3636, GES3637, GES3638, GES3638A, GES3639, GES3640, GES3641, 2SC2240, GES3643, GES3644, GES3645, GES3646, GES3691, GES3692, GES3693, GES3694