GES4123. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES4123

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 240 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для GES4123

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES4123 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES4059, GES4060, GES4061, GES4062, GES4072, GES4073, GES4121, GES4122, BC548, GES4124, GES4125, GES4126, GES4140, GES4141, GES4142, GES4143, GES4146