GES4275. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES4275

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES4275

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES4275 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES4146, GES4248, GES4249, GES4250, GES4250A, GES4258, GES4258A, GES4274, A1941, GES4354, GES4355, GES4356, GES4400, GES4401, GES4402, GES4403, GES4450