GES4356. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES4356

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES4356

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES4356 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES4250, GES4250A, GES4258, GES4258A, GES4274, GES4275, GES4354, GES4355, 2SD718, GES4400, GES4401, GES4402, GES4403, GES4450, GES4888, GES4889, GES4890