GES4889. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES4889

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES4889

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES4889 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES4355, GES4356, GES4400, GES4401, GES4402, GES4403, GES4450, GES4888, S8550, GES4890, GES4916, GES4917, GES4926, GES4927, GES4928, GES4929, GES4930