GES5130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5130

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5130 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES4964, GES4965, GES5087, GES5088, GES5089, GES5127, GES5128, GES5129, SS8050, GES5131, GES5132, GES5133, GES5135, GES5136, GES5137, GES5138, GES5139