GES5137. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5137

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5137

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5137 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5128, GES5129, GES5130, GES5131, GES5132, GES5133, GES5135, GES5136, A1013, GES5138, GES5139, GES5140, GES5141, GES5142, GES5143, GES5172, GES5179