GES5139. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5139

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5139

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5139 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5130, GES5131, GES5132, GES5133, GES5135, GES5136, GES5137, GES5138, S9013, GES5140, GES5141, GES5142, GES5143, GES5172, GES5179, GES5305, GES5306