GES5172. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5172

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5172

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5172 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5136, GES5137, GES5138, GES5139, GES5140, GES5141, GES5142, GES5143, 2N4401, GES5179, GES5305, GES5306, GES5306A, GES5307, GES5308, GES5308A, GES5368