GES5450. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5450

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES5450

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5450 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5375, GES5400, GES5400R, GES5401, GES5401R, GES5447, GES5448, GES5449, D882P, GES5451, GES5550, GES5550R, GES5551, GES5551R, GES5810, GES5811, GES5812