GES5451. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5451

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES5451

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5451 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5400, GES5400R, GES5401, GES5401R, GES5447, GES5448, GES5449, GES5450, BD136, GES5550, GES5550R, GES5551, GES5551R, GES5810, GES5811, GES5812, GES5813