GES5550R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5550R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для GES5550R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5550R даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5401, GES5401R, GES5447, GES5448, GES5449, GES5450, GES5451, GES5550, B647, GES5551, GES5551R, GES5810, GES5811, GES5812, GES5813, GES5814, GES5815