Биполярный транзистор GES5810 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GES5810
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам