GES5810. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5810

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES5810

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5810 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5448, GES5449, GES5450, GES5451, GES5550, GES5550R, GES5551, GES5551R, BD333, GES5811, GES5812, GES5813, GES5814, GES5815, GES5816, GES5817, GES5818