GES5813. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5813

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES5813

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5813 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5451, GES5550, GES5550R, GES5551, GES5551R, GES5810, GES5811, GES5812, BC547, GES5814, GES5815, GES5816, GES5817, GES5818, GES5819, GES5820, GES5822