GES5815. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: GES5815
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для GES5815
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GES5815 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GES5550R, GES5551, GES5551R, GES5810, GES5811, GES5812, GES5813, GES5814, TIP41C, GES5816, GES5817, GES5818, GES5819, GES5820, GES5822, GES5823, GES5824
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet
