GES5826. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5826

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GES5826

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5826 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5817, GES5818, GES5819, GES5820, GES5822, GES5823, GES5824, GES5825, TIP41, GES5827, GES5827A, GES5828, GES5828A, GES5855, GES5856, GES5857, GES5858