GES918. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES918

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES918

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES918 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES6221, GES6222, GES6224, GES6426, GES6427, GES6560, GES6562, GES6563, TIP31, GES918R, GES92, GES929, GES93, GES930, GES930R, GES97, GES98