GES930. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES930

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES930

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES930 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES6560, GES6562, GES6563, GES918, GES918R, GES92, GES929, GES93, SS8050, GES930R, GES97, GES98, GET102, GET103, GET104, GET105, GET106