Биполярный транзистор GET111 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GET111
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO1
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам