GET535. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: GET535
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для GET535
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GET535 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GET4, GET5, GET5305, GET5306, GET5306A, GET5307, GET5308, GET5308A, BD139, GET536, GET538, GET571, GET572, GET573, GET6, GET691, GET7
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450
