Биполярный транзистор GF757 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GF757
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам