GF757. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GF757

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для GF757

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GF757 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GF504, GF505, GF506, GF507, GF514, GF515, GF516, GF517, BC547B, GF758, GF759, GF760, GF761, GF762, GFT15, GFT20, GFT20-15