Справочник транзисторов. 2N3767

 

Биполярный транзистор 2N3767 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N3767

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO66

Аналоги (замена) для 2N3767

 

 

2N3767 Datasheet (PDF)

0.1. 2n3767smd.pdf Size:20K _semelab

2N3767
2N3767

2N3767SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches) NPN BIPOLAR TRANSISTOR IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL APPLICATIONS FEATURES HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING CERAMIC SURFACE

0.2. 2n3767smd05.pdf Size:17K _semelab

2N3767
2N3767

2N3767SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)7.54 (0.296)NPN BIPOLAR TRANSISTOR 0.76 (0.030)min.IN A CERAMIC SURFACE MOUNT3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)PACKAGE FORHIGH REL APPLICATIONS1 32FEATURES HIGH VOLTAGE 0.127 (0.005)16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) FAST SWITCHING0.50 (0.020)max.7.26 (0.286) CER

 0.3. 2n3766 2n3767.pdf Size:207K _aeroflex

2N3767
2N3767

NPN Power Silicon Transistor2N3766 & 2N3767Features Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/518 TO-66 (TO-213AA) PackageMaximum RatingsRatings Symbol 2N3766 2N3767 UnitsCollector - Emitter Voltage VCEO 60 80 VdcCollector - Base Voltage VCBO 80 100 VdcEmitter - Base Voltage VEBO 6.0 VdcBase Current IB 2.0 AdcCollector Current IC 4.0 AdcTotal Power Di

Другие транзисторы... 2N3762S , 2N3763 , 2N3763S , 2N3764 , 2N3764A , 2N3765 , 2N3766 , 2N3766SM , MJE13005 , 2N3767SM , 2N376A , 2N377 , 2N3770 , 2N3771 , 2N3772 , 2N3773 , 2N3774 .

 

 
Back to Top