GI2716. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: GI2716
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300
Корпус транзистора: TO106
Аналоги (замена) для GI2716
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GI2716 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GFT45-30, GFT692, GFT693, GI2711, GI2712, GI2713, GI2714, GI2715, MJE340, GI2921, GI2922, GI2923, GI2924, GI2925, GI2926, GI3392, GI3638
History: SDM5002
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent
