GS112D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: GS112D
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.083 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.21 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90
Корпус транзистора: TO39
Аналоги (замена) для GS112D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GS112D даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: GS109D, GS110, GS111B, GS111C, GS111D, GS111E, GS112B, GS112C, C1815, GS112E, GS121B, GS121C, GS121D, GS122, GS2012, GS2013, GS2014
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239
