Биполярный транзистор GS2014 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GS2014
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO202
Другие транзисторы... GS112D , GS112E , GS121B , GS121C , GS121D , GS122 , GS2012 , GS2013 , TIP42C , GS2017 , GS2017A , GS2052 , GS8050T , GS8550T , GS9010 , GS9011 , GS9011D .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050