GSDR10020 - описание и поиск аналогов

GSDR10020. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GSDR10020

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам