GSDU7530. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GSDU7530

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GSDU7530

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSDU7530 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GSDR10025, GSDR10025I, GSDR15020, GSDR15020I, GSDR15025, GSDR15025I, GSDS50018, GSDS50020, BC547B, GSDU7535, GSDU7540, GSH9012, GSH9012D, GSH9012E, GSH9012F, GSH9032, GSH9032D