GSRU15040. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GSRU15040

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GSRU15040

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSRU15040 даташит

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 gsru15040.pdf pdf_icon

GSRU15040

isc Silicon NPN Power Transistor GSRU15040 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 10(MIN)@I = 15A FE C Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power Supplies Switching Amplifiers Inverters/Converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Bas

Другие транзисторы: GSH9033E, GSRU10030, GSRU10035, GSRU10040, GSRU15030, GSRU15030A, GSRU15035, GSRU15035A, TIP41C, GSRU15040A, GSRU20030, GSRU20035, GSRU20040, GSTR8030, GSTU10030, GSTU10035, GSTU10040