GT100-6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT100-6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 160 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: XM37

 Аналоги (замена) для GT100-6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT100-6 даташит

 9.1. Size:181K  vishay
vs-gt100tp60n.pdfpdf_icon

GT100-6

VS-GT100TP60N www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 A FEATURES Low VCE(on) trench IGBT technology 5 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (

 9.2. Size:184K  vishay
vs-gt100tp120n.pdfpdf_icon

GT100-6

VS-GT100TP120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT Power Module, 1200 V, 100 A FEATURES Low VCE(sat) trench IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(sat) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using

 9.3. Size:172K  vishay
vs-gt100la120ux.pdfpdf_icon

GT100-6

VS-GT100LA120UX www.vishay.com Vishay Semiconductors Low Side Chopper IGBT SOT-227 (Trench IGBT), 100 A FEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated package SOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved

 9.4. Size:172K  vishay
vs-gt100na120ux.pdfpdf_icon

GT100-6

VS-GT100NA120UX www.vishay.com Vishay Semiconductors High Side Chopper IGBT SOT-227 (Trench IGBT), 100 A FEATURES Trench IGBT technology Very low VCE(on) Square RBSOA HEXFRED clamping diode 10 s short circuit capability Fully isolated package SOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved

Другие транзисторы: GSTU8040, GSTU8040I, GSTU8045, GSTU8045I, GT100-10, GT100-3, GT100-4, GT100-5, 13003, GT100-7, GT100-8, GT100-9, GT1079, GT108A, GT108B, GT108G, GT108V