Биполярный транзистор GT125I - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GT125I
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 28
GT125I Datasheet (PDF)
9.2. Size:3940K goford
gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf
gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf
GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu
Другие транзисторы... GT124B , GT124G , GT124V , GT125A , GT125B , GT125D , GT125E , GT125G , 2SD669A , GT125J , GT125K , GT125L , GT125V , GT150-10 , GT150-3 , GT150-4 , GT150-5 .
History: MMBT2222ALTG
History: MMBT2222ALTG
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050