Биполярный транзистор 2N1065 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1065
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO5
2N1065 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1054 , 2N1055 , 2N1056 , 2N1057 , 2N1058 , 2N1059 , 2N106 , 2N1060 , 2SC2655 , 2N1066 , 2N1067 , 2N1068 , 2N1069 , 2N107 , 2N1070 , 2N1072 , 2N1072A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050