Биполярный транзистор GT250-4A Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GT250-4A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1330 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 400 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: XM37
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам