GT250-4D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT250-4D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 770 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 125 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: XM37

 Аналоги (замена) для GT250-4D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT250-4D даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GT250-10D, GT250-3A, GT250-3B, GT250-3C, GT250-3D, GT250-4A, GT250-4B, GT250-4C, BC547, GT250-5A, GT250-5B, GT250-5C, GT250-5D, GT250-6A, GT250-6B, GT250-6C, GT250-6D