Справочник транзисторов. GT250-4D

 

Биполярный транзистор GT250-4D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: GT250-4D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 770 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 125 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: XM37

 Аналоги (замена) для GT250-4D

 

 

GT250-4D Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top