GT250-9B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: GT250-9B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1330 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 250 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: XM37
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам