GT2767. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT2767

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для GT2767

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT2767 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GT250-9C, GT250-9D, GT2693, GT2694, GT2695, GT2696, GT2765, GT2766, A1941, GT2768, GT2883, GT2884, GT2885, GT2886, GT2887, GT2888, GT2906