Биполярный транзистор GT2888 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GT2888
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам