GT309V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT309V

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 70 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

 Аналоги (замена) для GT309V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT309V даташит

 9.1. Size:604K  russia
 gt309a-b-v-g-d-e.pdf pdf_icon

GT309V

Другие транзисторы: GT308B, GT308G, GT308V, GT309A, GT309B, GT309D, GT309E, GT309G, 8050, GT310A, GT310B, GT310D, GT310E, GT310G, GT310V, GT3110A-2, GT311A