Справочник транзисторов. GT311D

 

Биполярный транзистор GT311D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT311D
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 70 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
 

 Аналог (замена) для GT311D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT311D Datasheet (PDF)

 9.1. Size:1553K  russia
gt311e-zh-i 1t311a-b-v-g-d-k-l.pdfpdf_icon

GT311D

Другие транзисторы... GT310B , GT310D , GT310E , GT310G , GT310V , GT3110A-2 , GT311A , GT311B , TIP127 , GT311E , GT311G , GT311I , GT311J , GT311V , GT313A , GT313B , GT313V .

History: EFT214 | TIPL777A

 

 
Back to Top

 


 
.