Биполярный транзистор GT311G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: GT311G
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 70 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Аналог (замена) для GT311G
GT311G Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... GT310E , GT310G , GT310V , GT3110A-2 , GT311A , GT311B , GT311D , GT311E , 2SC2655 , GT311I , GT311J , GT311V , GT313A , GT313B , GT313V , GT320A , GT320B .
History: GT321E | CSC460B | 2SD5072 | 2N2800S
History: GT321E | CSC460B | 2SD5072 | 2N2800S



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614