GT311J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT311J

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 70 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

 Аналоги (замена) для GT311J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT311J даташит

 9.1. Size:1553K  russia
gt311e-zh-i 1t311a-b-v-g-d-k-l.pdfpdf_icon

GT311J

Другие транзисторы: GT310V, GT3110A-2, GT311A, GT311B, GT311D, GT311E, GT311G, GT311I, 2SB817, GT311V, GT313A, GT313B, GT313V, GT320A, GT320B, GT320V, GT321A