GT313B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT313B

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 70 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

 Аналоги (замена) для GT313B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT313B даташит

 9.1. Size:464K  sanken-ele
 fgm603 fgt312 fgt313 fgt412 fgt612.pdf pdf_icon

GT313B

2-3 IGBT Selection Guide Selection Guide By VCES VCES IC PC Part Number Package (V) (A) (W) 330 20 35 FGT312 TO220F(FM20) 330 30 35 FGT313 TO220F(FM20) 400 20 35 FGT412 TO220F(FM20) 600 20 35 FGT612 TO220F(FM20) 600 25 60 FGM622S TO3PF(FM100) 600 30 60 FGM603 TO3PF(FM100) 600 30 60 FGM623S TO3PF(FM100) 600 50 150 MGD623N TO3P(MT100) 600 50 150 MGD623S TO3P(MT100) Transistors 15

 9.2. Size:994K  russia
 gt313a-b-v 1t313a-b-v.pdf pdf_icon

GT313B

Другие транзисторы: GT311B, GT311D, GT311E, GT311G, GT311I, GT311J, GT311V, GT313A, D880, GT313V, GT320A, GT320B, GT320V, GT321A, GT321B, GT321D, GT321E