GT320V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT320V

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 70 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

 Аналоги (замена) для GT320V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT320V даташит

 9.1. Size:1148K  russia
 gt320a-b-v 1t320a-b-v.pdf pdf_icon

GT320V

Другие транзисторы: GT311I, GT311J, GT311V, GT313A, GT313B, GT313V, GT320A, GT320B, 2222A, GT321A, GT321B, GT321D, GT321E, GT321G, GT321V, GT322A, GT322B