Справочник транзисторов. GT321D

 

Биполярный транзистор GT321D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT321D
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
 

 Аналог (замена) для GT321D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT321D Datasheet (PDF)

 9.1. Size:1272K  russia
gt321a-b-v-g-d-e 1t321a-b-v-g-d-e.pdfpdf_icon

GT321D

Другие транзисторы... GT313A , GT313B , GT313V , GT320A , GT320B , GT320V , GT321A , GT321B , NJW0281G , GT321E , GT321G , GT321V , GT322A , GT322B , GT322D , GT322E , GT322G .

History: CHDTA123EEGP | 3CG1162

 

 
Back to Top

 


 
.