GT321D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT321D

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

 Аналоги (замена) для GT321D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT321D даташит

 9.1. Size:1272K  russia
 gt321a-b-v-g-d-e 1t321a-b-v-g-d-e.pdf pdf_icon

GT321D

Другие транзисторы: GT313A, GT313B, GT313V, GT320A, GT320B, GT320V, GT321A, GT321B, D965, GT321E, GT321G, GT321V, GT322A, GT322B, GT322D, GT322E, GT322G