GT321V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT321V

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

 Аналоги (замена) для GT321V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT321V даташит

 9.1. Size:1272K  russia
 gt321a-b-v-g-d-e 1t321a-b-v-g-d-e.pdf pdf_icon

GT321V

Другие транзисторы: GT320A, GT320B, GT320V, GT321A, GT321B, GT321D, GT321E, GT321G, BC549, GT322A, GT322B, GT322D, GT322E, GT322G, GT322M4, GT322M5, GT322M6