Справочник транзисторов. GT321V

 

Биполярный транзистор GT321V Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT321V
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
 

 Аналог (замена) для GT321V

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT321V Datasheet (PDF)

 9.1. Size:1272K  russia
gt321a-b-v-g-d-e 1t321a-b-v-g-d-e.pdfpdf_icon

GT321V

Другие транзисторы... GT320A , GT320B , GT320V , GT321A , GT321B , GT321D , GT321E , GT321G , 2222A , GT322A , GT322B , GT322D , GT322E , GT322G , GT322M4 , GT322M5 , GT322M6 .

History: SD4013 | 2N5705 | RT2P16M | 2N4357 | V765 | 2N6134 | NTE266

 

 
Back to Top

 


 
.