Справочник транзисторов. GT329V

 

Биполярный транзистор GT329V Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT329V
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 80 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
 

 Аналог (замена) для GT329V

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT329V Datasheet (PDF)

 9.1. Size:748K  russia
 gt329a-b-v-g 1t329a-b-v.pdf pdf_icon

GT329V

Другие транзисторы... GT323B , GT323V , GT328A , GT328B , GT328V , GT329A , GT329B , GT329G , 2N2907 , GT330A , GT330B , GT330D , GT330G , GT330I , GT330J , GT330V , GT335A .

History: 2SB1349

 

 
Back to Top

 


 
.