GT330V. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: GT330V
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 13 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 80 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Аналоги (замена) для GT330V
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
GT330V даташит
Другие транзисторы: GT329G, GT329V, GT330A, GT330B, GT330D, GT330G, GT330I, GT330J, TIP41C, GT335A, GT335B, GT335D, GT335G, GT335V, GT338A, GT338B, GT338V
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet

