GT335G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT335G

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 19 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 80 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для GT335G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT335G даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GT330D, GT330G, GT330I, GT330J, GT330V, GT335A, GT335B, GT335D, 2N5551, GT335V, GT338A, GT338B, GT338V, GT341A, GT341B, GT341V, GT346A