Биполярный транзистор 2N1067 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N1067
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO8
     - подбор биполярного транзистора по параметрам