Биполярный транзистор GT806A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GT806A
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
GT806A Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... GT8001 , GT8002 , GT8003 , GT8004 , GT8005 , GT804A , GT804B , GT804V , 2SA1837 , GT806B , GT806D , GT806G , GT806V , GT81 , GT8100 , GT8101 , GT8102 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050