HEPG0003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPG0003

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для HEPG0003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPG0003 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HCT2907A, HCT2907M, HDA412, HDA420, HDA496, HEP637, HEPG0001, HEPG0002, D882P, HEPG0005, HEPG0006, HEPG0007, HEPG0008, HEPG0009, HEPG0011, HEPS0005, HEPS0008